[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质在审
| 申请号： | 202010720739.5 | 申请日： | 2020-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN112447499A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 桥本良知;原田胜吉;中谷公彦;广濑义朗;永户雅也;尾崎贵志;清水富介 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质，课题为提高在衬底上形成的氧化膜的特性。半导体器件的制造方法具有将非同时进行下述工序的循环进行规定次数从而在衬底上形成含有X的氧化膜的工序：(a)向衬底供给具有在中心原子X上键合有第1基团和第2基团的分子结构且第1基团与X的键能高于第2基团与X的键能的原料，在衬底上形成含有在X上键合有第1基团的成分的第1层的工序；和(b)向衬底供给氧化剂，使第1层氧化，形成含有X的第2层的工序，在(a)中，在第1基团不从原料中所含的X脱离而第2基团脱离并且第2基团脱离且与第1基团的键合被维持的状态的X向衬底的表面吸附的条件下供给原料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 衬底 处理 装置 记录 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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