[发明专利]自对准金属层的制造方法、半导体器件及电子设备有效
| 申请号： | 202010721282.X | 申请日： | 2020-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN112017970B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 张利斌;韦亚一;冯耀斌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供一种自对准金属层的制造方法、半导体器件及电子设备。该方法包括：对金属层的设计掩模进行工艺可制造拆分；提供衬底，包括用于制作金属层的目标薄膜层；利用第一子掩模在目标薄膜层上形成第一结构图案，并贴着第一结构图案的侧壁形成侧墙；利用第二子掩模进行光刻和刻蚀，在第一结构图案所在的掩模涂层基于自对准效应形成对应的第二结构图案；去除第一结构图案，留下侧墙和第二结构图案；以侧墙和第二结构图案为掩模，对目标薄膜层进行图案化；在图案化后的目标薄膜层中形成金属层。本方案通过在第一次光刻刻蚀之后，施加侧墙工艺，有效保护了多重光刻图形之间的最小间距，降低了金属层的套刻偏差，提升了工艺制造良率。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 金属 制造 方法 半导体器件 电子设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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