[发明专利]一种单行载流子光电探测器及其制作方法有效
申请号: | 202010722626.9 | 申请日: | 2020-07-24 |
公开(公告)号: | CN111682078B | 公开(公告)日: | 2022-09-30 |
发明(设计)人: | 张博健;王亮;王方莉;郭松坡 | 申请(专利权)人: | 中国科学技术大学 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/105;H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李婷婷 |
地址: | 230026 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本申请提供一种单行载流子光电探测器及其制作方法,在吸收层附近引入表面等离激元结构,利用局域的场增强以及传输中的近场增强与散射等特性增加吸收层的吸收,提高吸收层的光电转化效率,使得厚度较薄的吸收层具有较高的吸收性能,从而使得单行载流子光电探测器在较薄厚度的吸收层也能具有较高的响应度特性,进而在高速单行载流子探测器设计过程中,能够在不牺牲器件响应度特性指标的前提下,降低吸收层厚度,进而降低器件的载流子渡越时间,提升器件的高频带宽特性,也即实现了同时具有高响应度和高频带宽特性的器件。 | ||
搜索关键词: | 一种 单行 载流子 光电 探测器 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的