[发明专利]一种降低碳硅接触电阻的方法在审
| 申请号： | 202010723152.X | 申请日： | 2020-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN111916783A | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 秦臻;王沛远;杨克蒋;朱景兵;施正荣 | 申请（专利权）人： | 浙江海晫新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01M8/0228 | 分类号： | H01M8/0228;H01M8/0213 |
| 代理公司： | 南京北辰联和知识产权代理有限公司 32350 | 代理人： | 陆中丹 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉兴市经济技术开*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低碳硅接触电阻的方法，包括硅板，通过如下工艺来降低硅板和碳膜之间的接触电阻；工艺包括如下操作步骤：S10)、准备硅板，硅板采用掺杂导电的晶体硅材料制成；S20)、在硅板上通过沉积工艺得到过渡沉积膜和碳沉积膜，过渡沉积膜和碳沉积膜通过单独沉积工艺分别成型得到或通过单次沉积工艺一次成型得到；本发明通过设置过渡沉积膜的结构设计，使得硅板和碳沉积膜之间的接触电阻得到显著降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 接触 电阻 方法 | ||
【主权项】：
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