[发明专利]半导体存储装置在审
| 申请号： | 202010723411.9 | 申请日： | 2020-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN113053894A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 稻场恒夫 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实施方式的半导体存储装置具有：多条第1布线，设置在半导体衬底的表面上方，且在第1方向延伸；及多条第2布线，设置在多条第1布线的上方，且向相对于第1方向交叉的第2方向延伸。多个电容器元件在从半导体衬底的表面上方观察时，每隔1个地配置在多条第1布线与多条第2布线的交叉区域。多个晶体管分别对应地设置在多个电容器元件上。第1方向上相邻的2个电容器元件间的第1间隔窄于第2方向上相邻的2个电容器元件间的第2间隔。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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