[发明专利]一种碳化硅晶体微管的愈合方法及碳化硅产品和应用有效
| 申请号： | 202010724063.7 | 申请日： | 2020-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN111962157B | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 王路平;许晓林;刘鹏飞;高超;张九阳;王宗玉 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/06 | 分类号： | C30B33/06;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 王振南 |
| 地址： | 250118 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种碳化硅晶体微管的愈合方法及碳化硅产品和应用。所述方法包括：S1、将含有贯穿微管的碳化硅晶体完全浸入坩埚内的熔液中；所述熔液的温度低于所述碳化硅晶体的熔点；S2、使所述熔液在所述碳化硅晶体的所述贯穿微管中进行液相生长结晶；S3、将所述碳化硅晶体从所述熔液中取出，获得所述贯穿微管数量降低的碳化硅晶体。本发明能在碳化硅晶体生长完成后进行微管愈合，无需在碳化硅晶体生长过程中进行调节，操作简单方便，便于实施，可有效降低碳化硅晶体中的微管数量，提高晶体的质量，还可以提高碳化硅产品应力分布均匀性、提高碳化硅产品导电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶体 微管 愈合 方法 产品 应用 | ||
【主权项】：
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