[发明专利]基于高K材料的品型栅AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及制作方法在审
| 申请号： | 202010724259.6 | 申请日： | 2020-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN111863960A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 梁智文;杨倩倩;张法碧;王琦;汪青;张国义 | 申请（专利权）人： | 北京大学东莞光电研究院 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L29/51;H01L21/335 |
| 代理公司： | 东莞恒成知识产权代理事务所(普通合伙) 44412 | 代理人： | 邓燕 |
| 地址： | 523808 广东省东莞市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于高K材料的品型栅AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法，该高电子迁移率晶体管包括衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、AlN插入、AlGaN势垒层、源极、漏极和栅介质层，该栅介质层包括介电常数不同的第一介质材料层与第二介质材料层横向连接组成的界面过渡层和介电常数大于Al |
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| 搜索关键词： | 基于 材料 品型栅 algan gan 电子 迁移率 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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