[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202010725127.5 | 申请日： | 2020-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN113178423A | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 筑山慧至;高久悟;菅生悠树;天野彩那 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31;H01L21/56;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。本实施方式的半导体装置具备：衬底、第1粘接层、第1半导体芯片、及第2粘接层。第1粘接层设置在衬底的第1面上方，包含分子量不同的多种树脂及填料。第1半导体芯片设置在第1粘接层的上方。第2粘接层设置在衬底与第1粘接层之间的至少一部分的第1区域，包含多种树脂中分子量小于其它种类的树脂的至少1种树脂、及浓度低于第1粘接层的填料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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