[发明专利]一类沿短轴修饰的芘基衍生物及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202010727631.9 | 申请日： | 2020-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN111848413B | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 于泽栋;庞子金;曾照轩;赵文暄;王传增;大和武彦 | 申请（专利权）人： | 山东理工大学 |
| 主分类号： | C07C211/48 | 分类号： | C07C211/48;C07C209/68;C07C221/00;C07C223/06;C09K11/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 255086 山东省淄*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及有机光电材料领域，公开了一类沿短轴修饰的芘基衍生物及其制备方法和应用。本发明提供的芘基衍生物制备策略，是在芘的1‑，3‑位沿短轴方向引入不同电子性质、刚性结构的取代基团，通过形成分子内电荷转移态实现对分子材料光电性能的可控调节。进而达到改善光电器件性能的目的：通过在短轴方向上引入不同基团实现芘的不对称官能化，构筑推拉型分子诱发分子内电荷转移，提高材料分子的电荷传输能力，制备高效的发光材料。极大地拓宽了芘基光电材料的发展空间和设计思路。 | ||
| 搜索关键词： | 一类 沿短轴 修饰 衍生物 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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