[发明专利]一种Trench MOS器件及制备方法在审
| 申请号： | 202010728545.X | 申请日： | 2020-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN111755526A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 唐呈前;李生龙;袁力鹏;常虹 | 申请（专利权）人： | 华羿微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 党娟娟;郭永丽 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市未央区*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Trench MOS器件及制备方法，涉及半导体功率器件领域。用于提高Trench MOS器件的击穿电压和抗冲击能力，并能降低栅漏极间电容。包括：外延层，栅极沟槽和外围分压沟槽；所述外延层上设置所述栅极沟槽和所述外围分压沟槽；所述栅极沟槽从下至上分为栅极沟槽底部区域和栅极沟槽侧壁区域，所述栅极沟槽底部区域的底面与衬底层上表面之间的距离小于阱区层的底面与衬底层上表面之间的距离；所述栅极沟槽底部区域从外至内依次包括栅极氧化层、牺牲氧化层、第二氧化层和多晶硅层或氮化硅层；所述栅极沟槽侧壁区域从外至内包括栅极氧化层和多晶硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 trench mos 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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