[发明专利]新型太赫兹单片的实现方法在审
| 申请号： | 202010730556.1 | 申请日： | 2020-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN111900086A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 安国雨;张志国;刘育青;郭黛翡;张洋阳;冯雪琳 | 申请（专利权）人： | 北京国联万众半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/50;H01L21/60;H01L29/872 |
| 代理公司： | 石家庄轻拓知识产权代理事务所(普通合伙) 13128 | 代理人： | 王占华 |
| 地址： | 101399 北京市顺义*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型太赫兹单片的实现方法，涉及太赫兹芯片技术领域。所述方法包括如下步骤：设计太赫兹单片所需要的太赫兹肖特基二极管和太赫兹外围电路；根据设计的太赫兹肖特基二极管，制作分立的太赫兹肖特基二极管芯片；根据设计的太赫兹外围电路，制作分立的太赫兹外围电路；在太赫兹模块上安装制作的分立的太赫兹外围电路，并将制作的分立的太赫兹肖特基二极管芯片安装到所述太赫兹外围电路上，构成太赫兹单片电路。采用该种新型单片制作方式，适用于批量生产，在应用于大规模生产效率时，可将产能增加2个数量级。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 赫兹 单片 实现 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
