[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010730732.1 | 申请日： | 2014-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN111799335A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 笹川慎也;仓田求;花冈一哉;小林由幸;松林大介 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/04;H01L29/24;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 宋俊寅 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有良好的电特性的半导体装置。该半导体装置包括：绝缘层；绝缘层上的半导体层；与半导体层电连接的源电极层及漏电极层；半导体层、源电极层以及漏电极层上的栅极绝缘膜；以及隔着栅极绝缘膜与部分半导体层、部分源电极层以及部分漏电极层重叠的栅电极层，其中半导体层的沟道宽度方向上的截面为大致三角形或大致梯形，以使实效的沟道宽度短于截面为四边形的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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