[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010730923.8 | 申请日： | 2020-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN112310191A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 冈本隼人;陈则 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供能够使半导体装置的性能提高的技术。半导体装置具有第1导电型的第1半导体区域、第1半导体区域之上的第2导电型的第2半导体区域、第2导电型的第3及第4半导体区域、第1导电型的第5半导体区域、电极。第3半导体区域位于第2半导体区域之上，杂质浓度比第2半导体区域高。第4半导体区域与第2半导体区域相比杂质浓度高，第4半导体区域在俯视观察时位于与第3半导体区域分离的位置，该第4半导体区域与第2半导体区域接触。第5半导体区域位于第2半导体区域之上，在俯视观察时位于第3及第4半导体区域之间。电极不与第4及第5半导体区域接触而是与第3半导体区域接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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