[发明专利]二次电池及二次电池的制造方法在审

专利信息
申请号: 202010732190.1 申请日: 2015-10-21
公开(公告)号: CN112018325A 公开(公告)日: 2020-12-01
发明(设计)人: 后藤准也;元吉真子;佐藤结香;川上贵洋 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01M4/131 分类号: H01M4/131;H01M4/485;H01M4/70;H01M10/0525;H01M10/058
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 张淑珍;王维玉
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的一个方式的目的是提供一种负极及使用该负极的二次电池。为了达到上述目的,在本发明的一个方式中,在负极活性物质层和负极集电体中设置多个凹凸。通过利用设置在负极活性物质层中的多个凹凸,可以吸收负极活性物质的膨胀,由此抑制其变形。另外,通过利用设置在负极集电体中的多个凹凸,可以抑制由于负极活性物质的膨胀及收缩导致的负极集电体的变形。
搜索关键词: 二次 电池 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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