[发明专利]SiC JBS器件的高温高湿反偏应力损伤表征方法在审
| 申请号： | 202010733221.5 | 申请日： | 2020-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN112051495A | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 游海龙;李文臻;曲程 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学;西安电子科技大学芜湖研究院 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;H01L29/872;H01L29/16 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李园园 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiC JBS器件的高温高湿反偏应力损伤表征方法，包括：测量第一SiC JBS二极管的初始电学特性参数、初始噪声特性参数；对第一SiC JBS二极管在预设温度、预设湿度、预设反向偏压条件下暴露预设时间得到第二SiC JBS二极管；测量第二SiC JBS二极管的电学特性参数、噪声特性参数；得到电学特性参数漂移程度；得到噪声特性参数漂移程度。本发明可以更加敏感且全面地反映经过高温高湿反偏应力环境下应力后SiC JBS二极管的损伤程度。 | ||
| 搜索关键词： | sic jbs 器件 高温 高湿反偏 应力 损伤 表征 方法 | ||
【主权项】：
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