[发明专利]基于射频电源施加偏压以增强CVD金刚石异质外延形核的方法有效
| 申请号： | 202010733639.6 | 申请日： | 2020-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN111826714B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 朱嘉琦;代兵;王伟华;王杨;舒国阳 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C30B25/02;C23C16/27;C23C16/517 |
| 代理公司： | 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 | 代理人： | 侯静 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 基于射频电源施加偏压以增强CVD金刚石异质外延形核的方法，本发明属于化学气相沉积法异质外延单晶金刚石生长领域，它为了解决绝缘异质衬底难以有效施加负偏压的问题。外延形核的方法：一、将底部开有凹槽腔的样品托放置于CVD腔体内的水冷台上，射频电源的一电极通过导线连接到CVD腔体外壳上并接地，射频电源的另一电极通过导线经水冷台连接到样品托上；二、将异质衬底放置在样品托中心位置，CVD腔体抽真空；三、升温过程，通入氢气；四、控制甲烷气体浓度，进行偏压增强形核；五、生长过程及结束。本发明通过射频电源，避免了直流偏压施加过程中绝缘异质衬底电势升高导致无法正常施加偏压，实现了绝缘异质衬底上高密度外延形核。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 射频 电源 施加 偏压 增强 cvd 金刚石 外延 方法 | ||
【主权项】：
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