[发明专利]多值忆阻器、多值忆阻器阵列及其制备工艺在审
| 申请号： | 202010734299.9 | 申请日： | 2020-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN111710779A | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 程传同;李刘杰;陈弘达;黄北举;毛旭瑞 | 申请（专利权）人： | 江苏集萃脑机融合智能技术研究所有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 | 代理人： | 黄晓明 |
| 地址： | 215131 江苏省苏州市相*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种多值忆阻器、多值忆阻器阵列及其制备工艺，包括衬底，相对设置于衬底上的第一电极以及第二电极，所述多值忆阻器还包括设置于衬底上的功能层，所述功能层位于第一电极以及第二电极之间，且第一电极以及第二电极和功能层接触连接，所述第一电极以及第二电极各自包括相对且接近的前端以及互相远离的后端，其中第一电极和/或第二电极自其前端至后端的宽度呈递增趋势。本发明设计具有前窄后宽的忆阻器电极对有助于降低忆阻器导电丝形成的随机性，提高了忆阻器的一致性；导电细丝的个数和外加电压有关，增加了忆阻器的电阻状态数；基于导电丝的忆阻器具有很好的非易失性。 | ||
| 搜索关键词： | 多值忆阻器 阵列 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏集萃脑机融合智能技术研究所有限公司，未经江苏集萃脑机融合智能技术研究所有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010734299.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种凝胶抑菌制剂
- 下一篇：一种腹腔镜用夹持装置
