[发明专利]一种SiC MPS二极管器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202010734370.3 | 申请日： | 2020-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN111799336B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 何艳静;刘延聪;胡彦飞;袁昊;汤晓燕;宋庆文;张玉明 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/872;H01L21/329;H01L29/06;H01L29/16 |
| 代理公司： | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人： | 徐云侠 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiC MPS二极管器件及其制备方法，属于微电子技术领域，包括自下而上依次设置的阴极、N+衬底、N‑外延层、P+注入区和阳极，其特征在于，两个所述P+注入区之间设置有沟槽结构，在沟槽结构两侧与P+注入区之间分别设有N+注入区，且所述N+注入区将P+注入区包围在内，形成阱结构；本发明SiC MPS二极管器件设有沟槽结构，集成了沟槽结构的SiC MPS二极管器件可以促使PiN结构与肖特基结构体内电势在器件正向导通时更加均匀，接近PiN体内电势分布情况，有效抑制器件出现压降急速返回的现象，在沟槽型SiC MPS二极管的基础上，在原有的PiN二极管上多进行一次N+注入，目的是提高PiN晶体管注入效率，提高器件的浪涌能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic mps 二极管 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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