[发明专利]双极晶体管电离损伤敏感部位的检测方法在审
| 申请号： | 202010735183.7 | 申请日： | 2020-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN111855704A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 李兴冀;杨剑群;吕钢 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | G01N23/02 | 分类号： | G01N23/02 |
| 代理公司： | 北京隆源天恒知识产权代理事务所(普通合伙) 11473 | 代理人： | 胡天人 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种双极晶体管电离损伤敏感部位的检测方法，包括以下步骤：选择辐照源，针对待测双极晶体管开展辐照试验；将辐照后的双极晶体管安装到深能级瞬态谱仪的测试台上，设置测试参数；选择至少2个不同的偏置电压，测试双极晶体管获取深能级瞬态谱；根据深能级瞬态谱中的信号峰位置，判定缺陷是否为电离缺陷；根据深能级瞬态谱中的缺陷信号能级，判定缺陷类型为氧化俘获电荷或界面态；根据缺陷信号类型的判断结果，判定双极晶体管的电离损伤敏感区。本发明检测方法基于深能级瞬态谱分析，能够快速判断和评估双极晶体管辐射损伤的敏感区，有利于推进辐射环境下双极器件性能退化等效性问题和抗辐射加固技术的研究。 | ||
| 搜索关键词： | 双极晶体管 电离 损伤 敏感部位 检测 方法 | ||
【主权项】：
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