[发明专利]一种抗辐射功率晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 202010735237.X | 申请日： | 2020-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN111863606B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 李兴冀;杨剑群;李鹏伟;董善亮 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;H01L21/265;H01L21/331;H01L29/10;H01L29/06;H01L23/552;H01L29/735 |
| 代理公司： | 北京隆源天恒知识产权代理有限公司 11473 | 代理人： | 鲍丽伟 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种抗辐射功率晶体管及其制备方法。所述制备方法包括：提供衬底，并在所述衬底上形成外延层；向所述外延层内注入碳离子，以在所述外延层底部形成碳离子注入层；在所述外延层顶部两侧形成基区，并向所述基区内多次注入第一杂质粒子，在所述基区内形成具有浓度梯度的杂质注入区。本发明通过碳离子注入层可形成有效的抗辐射隔离区，并形成碳氧/碳碳络合物及碳化硅结构层等，有助于提升晶体管抗辐射能力。同时，通过高浓度区域阻挡载流子被复合掉，低浓度区域保证晶体管自身性能，且浓度梯度的形成会产生势垒，进一步影响载流子的传输过程，减少基区损伤区域，提升晶体管的抗辐射能力，同时又能够保证晶体管本身的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 辐射 功率 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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