[发明专利]一种基于载流子流向的晶体管辐射损伤分析方法及装置有效
| 申请号： | 202010735731.6 | 申请日： | 2020-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN111856238B | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 杨剑群;李兴冀;董善亮;吕钢 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京隆源天恒知识产权代理有限公司 11473 | 代理人： | 陈雪飞 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于载流子流向的晶体管辐射损伤分析方法及装置，方法包括：选择入射粒子；根据入射粒子分别对不同的晶体管进行辐照试验，获得多个辐照后的晶体管；分析各个辐照后的晶体管，确定各个晶体管的载流子流向和性能参数；根据载流子流向确定各个晶体管的敏感区域，和各个敏感区域在试验过程中的位移吸收剂量；确定位移吸收剂量平均值和性能参数平均值，建立性能参数平均值和位移吸收剂量平均值之间的对应关系；重复多次，获得多个对应关系，结合所有的对应关系确定晶体管性能变化与位移吸收剂量的关系，对晶体管的位移损伤进行等效分析。本发明能够对不同入射粒子在不同结构的晶体管中造成的位移损伤进行分析，步骤简单，易于操作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 载流子 流向 晶体管 辐射损伤 分析 方法 装置 | ||
【主权项】：
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