[发明专利]半导体装置及制造半导体装置的方法在审
| 申请号： | 202010736607.1 | 申请日： | 2020-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN112310033A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 林基泰;金杰云;周名佳 | 申请（专利权）人： | 安靠科技新加坡控股私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/485;H01L21/56;H01L21/52;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 | 代理人： | 何尤玉;郭仁建 |
| 地址： | 新加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置及制造半导体装置的方法。在一个实例中，一种半导体结构包括：重新分布结构，所述重新分布结构包括导电结构；腔衬底，所述腔衬底位于所述重新分布结构的顶侧上并且具有腔和接触所述重新分布结构的柱；电子组件，所述电子组件位于所述重新分布结构的顶表面上和所述腔中，其中所述电子组件与所述导电结构电耦合；以及包封件，所述包封件位于所述腔中和所述重新分布结构的所述顶侧上，所述包封件接触所述电子组件的侧面、所述腔的侧面以及所述柱的侧面。本文还公开了其它实例和相关方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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