[发明专利]齐纳二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 202010737847.3 | 申请日： | 2020-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN111710729B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 韩广涛;蒋盛烽 | 申请（专利权）人： | 杰华特微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/866 | 分类号： | H01L29/866;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;李镇江 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种齐纳二极管及其制造方法，形成的齐纳二极管包括：位于衬底上的阱区；位于衬底上的第一掺杂区和分别位于该第一掺杂区两侧的第二掺杂区；分别位于第二掺杂区远离第一掺杂区的一侧的场氧区，该场氧区在靠近第二掺杂区一侧的鸟嘴区域与前述第二掺杂区邻接；以及位于场氧区上方的多晶硅层，其横向延伸覆盖在前述第二掺杂区的上方；还有分别与第一掺杂区和多晶硅层形成欧姆接触的第一电极和与衬底形成欧姆接触的第二电极。本发明通过位于场氧区上方且横向延伸覆盖在第二掺杂区上表面的多晶硅层调节第二掺杂区与第一掺杂区共同和阱区形成的PN结在第二掺杂区侧面的等电势，以稳定该PN结在各处的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 齐纳二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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