[发明专利]高压集成电路及其制造方法有效
| 申请号： | 202010738048.8 | 申请日： | 2020-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN111933640B | 公开（公告）日： | 2023-03-17 |
| 发明（设计）人： | 姚国亮;张邵华;吴建兴 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/092;H01L29/06;H01L21/8232;H01L21/8222 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯 |
| 地址： | 310012*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种高压集成电路，包括：衬底；N型埋层，位于所述衬底上；外延层，位于所述衬底和所述N型埋层上；以及位于所述外延层中的高压LDMOS器件，高压岛及CMOS器件，其中，所述高压LDMOS器件，高压岛及CMOS器件之间由深槽隔离结构隔开。本发明中的高压集成电路，采用深槽隔离工艺进行横向隔离，从而减小栅锁效应，缓解感性负载工作时的负压问题。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 集成电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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