[发明专利]一种原子层沉积镀膜设备的化学源导入系统在审
申请号: | 202010739150.X | 申请日: | 2020-07-28 |
公开(公告)号: | CN111705309A | 公开(公告)日: | 2020-09-25 |
发明(设计)人: | 崔国东;戴秀海;余海春;董黄华;魏晓庆 | 申请(专利权)人: | 光驰科技(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/52 |
代理公司: | 上海申蒙商标专利代理有限公司 31214 | 代理人: | 周宇凡 |
地址: | 200444 上海市宝*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及薄膜制备技术领域,尤其是一种原子层沉积镀膜设备的化学源导入系统,所述化学源导入系统包括若干化学源导入管路和阀座底板,所述若干化学源导入管路通过气体导入法兰安装在所述阀座底板上,在所述阀座底板上设置有阀座底板加热器,位于所述气体导入法兰真空侧的所述化学源导入管路的外围另设置有真空侧加热器;所述阀座底板加热器和所述真空侧加热器联合对所述化学源导入管路进行多段加热。本发明的优点是:实现多种化学源的同时导入,并且不会造成冷凝;对每种化学源进行多段式加热,进一步缩短工艺循环的时间;保证原子层沉积镀膜工艺成膜效果,避免产品存在成膜颗粒的问题,提高产品质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 原子 沉积 镀膜 设备 化学 导入 系统 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的