[发明专利]一种使晶片蚀刻均匀的方法及刻蚀炉机台有效
| 申请号： | 202010742195.2 | 申请日： | 2020-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN111785666B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 王兴林;李彬彬;霍曜;李瑞评;苏贤达;梅晓阳;吴福仁;王振;郑皓允 | 申请（专利权）人： | 福建晶安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 王立红 |
| 地址： | 362411 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种使晶片蚀刻均匀的方法及刻蚀炉机台，涉及半导体衬底技术领域。所述使晶片蚀刻均匀的方法包括：使晶片与用于承载晶片的第一载具的接触为线接触或类线接触；且第一载具与晶片的接触位置至少为三个；将第一载具由第二载具支撑，第二载具对晶片的蚀刻区域进行避让；使反应气体以与晶片蚀刻表面平行的方向向晶片移动并扩散至晶片蚀刻表面。本申请中的使晶片蚀刻均匀的方法通过改变反应气体的流动方向使每个晶片接触到的反应气体的时间和接触面积基本一致，以及通过改变晶片载具的结构，使晶片蚀刻表面接触反应气体的机会均同，从而使蚀刻更加均匀，缩短晶片的蚀刻时间，避免衬底局部过蚀刻的问题，进而提高衬底的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶片 蚀刻 均匀 方法 刻蚀 机台 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
