[发明专利]纳米硅粉体、硅基负极、包含该硅基负极的锂离子电池及其制造方法有效
| 申请号： | 202010743356.X | 申请日： | 2020-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN111933919B | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 喻维杰;李福生;张锡强;赵常;代学志;詹勇军;杜玮 | 申请（专利权）人： | 拓米（成都）应用技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/38 | 分类号： | H01M4/38;H01M4/62;H01M4/04;H01M4/134;H01M4/1395;H01M10/0525;H01M10/058;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 谭冀 |
| 地址： | 611700 四川省成都市郫都区德*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明涉及电池技术领域并且提供了纳米硅粉体、硅基负极、包含该硅基负极的锂离子电池及其制造方法。该硅基负极的循环性能与石墨类负极相当，其首次放电效率为89％以上且放电克容量3000mAh/g。本发明利用纳米金属氧化物与纳米硅颗粒和锂源在高温下在纳米硅颗粒表面原位反应生成了锂离子导体Li |
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| 搜索关键词： | 纳米 硅粉体 负极 包含 锂离子电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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