[发明专利]用于集成电路装置的隔离结构在审
| 申请号： | 202010743834.7 | 申请日： | 2020-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN112309953A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | M·A·史密斯 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/11517;H01L27/11551;H01L27/11563;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请案涉及用于集成电路装置的隔离结构。集成电路及集成电路装置可包含半导体、在所述半导体中的第一作用区、在所述半导体中的第二作用区及在所述半导体中介于所述第一作用区与所述第二作用区之间的隔离结构。所述隔离结构可包含：第一边缘部分，其在所述半导体的表面下面延伸到第一深度；第二边缘部分，其在所述半导体的所述表面下面延伸到所述第一深度；及内部部分，其介于所述第一边缘部分与所述第二边缘部分之间且在所述半导体的所述表面下面延伸到小于所述第一深度的第二深度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 集成电路 装置 隔离 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
