[发明专利]一种改善微透镜工艺中拉线异常的方法在审
申请号: | 202010743910.4 | 申请日: | 2020-07-29 |
公开(公告)号: | CN111968996A | 公开(公告)日: | 2020-11-20 |
发明(设计)人: | 史海军;叶红波;温建新 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G02B3/00 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 张磊;吴世华 |
地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种改善微透镜工艺中拉线异常的方法,包括以下步骤:步骤一:提供一完成微透镜工艺前的图像传感器芯片,所述芯片的表面上设有第一结构和第二结构,所述第一结构的高度高于所述第二结构的高度;步骤二:在所述芯片的表面上形成填充层,将所述第一结构和第二结构覆盖;步骤三:通过光刻及显影,去除位于所述第一结构表面上的所述填充层材料,在所述芯片的表面上形成新的平整表面;步骤四:在所述新的平整表面上依次覆盖平坦层和微透镜材料层;步骤五:进行所述微透镜材料层的光刻,形成具有一致光刻角度的微透镜。本发明能有效减少芯片表面的不均一性,显著降低拉线不良率,且实施简单。 | ||
搜索关键词: | 一种 改善 透镜 工艺 拉线 异常 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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