[发明专利]一种改善微透镜工艺中拉线异常的方法在审

专利信息
申请号: 202010743910.4 申请日: 2020-07-29
公开(公告)号: CN111968996A 公开(公告)日: 2020-11-20
发明(设计)人: 史海军;叶红波;温建新 申请(专利权)人: 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;G02B3/00
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人: 张磊;吴世华
地址: 201210 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种改善微透镜工艺中拉线异常的方法,包括以下步骤:步骤一:提供一完成微透镜工艺前的图像传感器芯片,所述芯片的表面上设有第一结构和第二结构,所述第一结构的高度高于所述第二结构的高度;步骤二:在所述芯片的表面上形成填充层,将所述第一结构和第二结构覆盖;步骤三:通过光刻及显影,去除位于所述第一结构表面上的所述填充层材料,在所述芯片的表面上形成新的平整表面;步骤四:在所述新的平整表面上依次覆盖平坦层和微透镜材料层;步骤五:进行所述微透镜材料层的光刻,形成具有一致光刻角度的微透镜。本发明能有效减少芯片表面的不均一性,显著降低拉线不良率,且实施简单。
搜索关键词: 一种 改善 透镜 工艺 拉线 异常 方法
【主权项】:
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