[发明专利]结型场效应管及其制作方法、半导体芯片有效
| 申请号： | 202010744519.6 | 申请日： | 2020-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN111900197B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 王炜槐 | 申请（专利权）人： | 杰华特微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/808;H01L27/098;H01L21/335 |
| 代理公司： | 杭州钤韬知识产权代理事务所(普通合伙) 33329 | 代理人： | 唐灵;赵杰香 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种结型场效应管及其制作方法、半导体芯片，结型场效应管包括：一第一导电类型衬底；一第二导电类型阱，配置于第一导电类型衬底上；一第一导电类型隔离层，配置于第二导电类型阱上；一源端，配置在第一导电类型隔离层上；一漏端，配置在第一导电类型隔离层上；一第一栅端，配置在第一导电类型隔离层上；一第二栅端，配置在第一导电类型隔离层上，耦接于第一栅端。由于配置有第一导电类型隔离层，使衬底对结型场效应管的干扰会降低到很低。并且，由于不需要在结型场效应管周边设置隔离环，从而可以降低尺寸。另外，由于配置有第三栅端，从而可以降低夹断电压。以及，将第一导电类型隔离层设置成多个子隔离层，可以提高击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 及其 制作方法 半导体 芯片 | ||
【主权项】：
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