[发明专利]一种深沟槽隔离栅格结构的制造方法

摘要

本发明提供了一种CMOS图像传感器及其像素结构，以及像素结构中的深沟槽隔离栅格结构的制造方法。上述的深沟槽隔离栅格结构的制造方法具体包括：提供堆叠层，上述堆叠层的顶部为硅外延层；在上述硅外延层中形成栅格状的多个深沟槽；在各个深沟槽中的侧壁和底部依次沉积第一隔离层和第二隔离层；以及在上述第二隔离层的上表面沉积填满各个深沟槽的第三隔离层，以使多个深沟槽中的第一隔离层、第二隔离层和第三隔离层构成多重隔离栅格。根据本发明所提供的制造方法所形成的深沟槽隔离栅格结构，能够有效降低相邻栅格之间的电子串扰，从而能够有效改进包含上述深沟槽隔离栅格结构的CMOS图像传感器及其像素结构的器件性能。