[发明专利]一种具有光电二极管效应的双钙钛矿薄膜器件及其制备方法和应用

摘要

本发明属于微电子技术领域，公开了一种具有光电二极管效应的双钙钛矿薄膜器件及其制备方法和应用，该器件是在硅片上先旋涂LaNiO3或La0.7Sr0.3MnO3前驱体溶液，得到凝胶湿膜，预退火后重复旋涂、烘干、热解和预退火过程，在750～800℃退火，在底电极上旋涂Bi2FeCrO6前驱体溶液，擦拭凝胶湿膜露出部分底电极，预退火后再重复旋涂、烘干、热解和预退火过程，在750～800℃退火制备Bi2FeCrO6薄膜，在其正面镀上顶电极制得；该薄膜器件结构为顶电级/Bi2FeCrO6薄膜/底电极/n‑Si基片。该器件结构具有明显的二极管效应，还具有响应灵敏，线性变化好，光电转换效率高，抗干扰能力强，体积小，工作寿命长的优点。其制备工艺简单，二极管效应良好稳定，在光强探测器领域有广阔的应用前景。