[发明专利]一种硅集成的BT-BMZ薄膜、电容器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种硅集成的BT‑BMZ薄膜、电容器及其制造方法，薄膜电容器包括Si基片、HAO过渡层和BT‑BMZ薄膜，HAO过渡层设置于Si基片表面，BT‑BMZ薄膜设置于HAO过渡层表面，Pt电极设置于Si基片BT‑BMZ薄膜表面；制造方法，包括以下过程：采用原子层沉积方法在Si基片上生长HAO过渡层；采用射频磁控溅射方法在HAO过渡层上生长BT‑BMZ薄膜，射频磁控溅射完成后进行退火；采用溅射镀膜方法在Si基片和BT‑BMZ薄膜上沉积Pt电极，得到所述硅集成的BT‑BMZ薄膜电容器。本发明的薄膜电容器大幅度提升了硅基片上薄膜电容器的储能密度，其储能效率和温度稳定性也维持在较高水平。