[发明专利]芯片中的冗余霍尔角测量有效
| 申请号： | 202010750214.6 | 申请日： | 2020-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN112393747B | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | S·莱森海默;R·海因茨 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01D5/14 | 分类号： | G01D5/14;G01B7/30 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 傅远 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施例涉及芯片中的冗余霍尔角测量。一种磁角度传感器包括半导体芯片，该磁角度传感器包括：被配置为响应于撞击在其上的磁场而生成垂直霍尔传感器信号的一对垂直霍尔传感器元件；被配置为响应于撞击在其上的磁场而生成第一横向霍尔传感器信号的第一对横向霍尔传感器元件；被配置为响应于撞击在其上的磁场而生成第二横向霍尔传感器信号的第二对横向霍尔传感器元件；以及传感器电路，该传感器电路被配置为：基于垂直霍尔传感器信号来确定与磁场的取向相对应的第一角度值，基于第一横向霍尔传感器信号和第二横向霍尔传感器信号来确定与磁场的取向相对应的第二角度值，并且确定第一角度值和第二角度值是否在彼此的可接受的公差范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 中的 冗余 霍尔 测量 | ||
【主权项】：
暂无信息
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