[发明专利]一种双曲超构材料空腔结构的Casimir-Polder效应分析方法及系统在审
| 申请号： | 202010750717.3 | 申请日： | 2020-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN111950143A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 曾然;陈伟强;钱秀秀;倪鹏飞;杨淑娜;李浩珍;胡淼;李齐良 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F119/14 |
| 代理公司： | 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 周希良 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明属于量子光学技术领域，具体涉及一种双曲超构材料空腔结构的Casimir‑Polder效应分析方法，包括如下步骤：建立双曲超构材料空腔结构的模型；确定双曲超构材料的电磁特性；计算共振原子能级频率偏移量及非共振原子能级频率偏移量；计算共振Casimir‑Polder势及非共振Casimir‑Polder势；计算原子在双曲超构材料空腔结构中的Casimir‑Polder力；能够准确地分析双曲超构材料空腔结构中的Casimir‑Polder势及Casimir‑Polder力，能够分析磁双曲超构材料和电双曲超构材料空腔结构产生Casimir‑Polder吸引力以及排斥力的原因，通过调整相应的参数，可以准确的分析Casimir‑Polder效应在双曲超构材料空腔结构中的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双曲超构 材料 空腔 结构 casimir polder 效应 分析 方法 系统 | ||
【主权项】：
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