[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202010750768.6 | 申请日： | 2020-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN112310038A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 蔡俊雄;沙哈吉·B·摩尔;林佑明;万幸仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供半导体器件及其形成方法。该半导体器件包括衬底、位于衬底内的深沟槽电容器(DTC)以及位于DTC和衬底上方的互连结构。互连结构包括与衬底电接触的密封环结构、与DTC电接触的第一导电通孔以及将密封环结构电耦接至第一导电通孔的第一导线。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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