[发明专利]一种PN结硅微球的制备方法有效
| 申请号： | 202010751539.6 | 申请日： | 2020-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN111863604B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 洪捐;蒯源;程鹍;张泽新 | 申请（专利权）人： | 盐城工学院 |
| 主分类号： | H01L21/228 | 分类号： | H01L21/228;H01L31/18;H01L21/67 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 殷星 |
| 地址： | 221051 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种PN结硅微球的制备方法，该方法选用一定尺寸的N型硅微球为原料，先用氢氟酸浸泡后，除去表面的氧化层，然后再用去离子水和无水乙醇清洗后进行真空干燥。选取包含硼元素的溶液作为扩散源，按照一定的体积比浸润干燥后的硅微球，然后真空干燥。取出干燥后的硅微球，在保护气氛中在一定温度下进行热扩散，扩散结束后采用一定浓度的氢氟酸清洗，然后再用去离子水和无水乙醇清洗，最后经真空干燥，获得PN结硅微球。与现有技术相比，本发明方法工艺设计合理，可操作性强，生产成本低廉，生产效率高，所得PN结硅微球的尺寸均匀，扩散浓度和深度可控的，可大规模工业化生产用于太阳能电池、光电子器件、半导体和传感器等领域可。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pn 结硅微球 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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