[发明专利]碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202010751541.3 | 申请日： | 2020-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN112466924A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 木下明将 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 包跃华;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
提供一种能够提高可靠性并且能够防止成本增大的碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法。第一p |
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| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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