[发明专利]一种基于富缺陷氧族化合物的肖特基结及其制备方法有效
申请号: | 202010751738.7 | 申请日: | 2020-07-30 |
公开(公告)号: | CN111863932B | 公开(公告)日: | 2021-07-06 |
发明(设计)人: | 雷永鹏;王裕超;宋成叶 | 申请(专利权)人: | 中南大学 |
主分类号: | H01L29/02 | 分类号: | H01L29/02;H01L29/12;H01L29/32;H01L29/06;H01L21/76 |
代理公司: | 长沙大胜专利代理事务所(普通合伙) 43248 | 代理人: | 陆僖 |
地址: | 410083 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 一种基于富缺陷氧族化合物的肖特基结及其制备方法,所述肖特基结为富缺陷氧族化合物、过渡金属单质和/或合金以及氮掺杂的碳构成的球状复合材料颗粒,富缺陷氧族化合物、过渡金属单质、过渡金属合金以及氮掺杂的碳在颗粒中均匀分布。所述方法为:(1)将富缺陷氧族化合物和锌源加入有机溶液中,搅拌,得溶液A;(2)将2‑甲基咪唑有机溶液加入溶液A中,搅拌,过滤,洗涤;(3)分散于有机溶剂,再将过渡金属源有机溶液加入,搅拌,离心,干燥;(4)保护性气氛中,热处理,即成。本发明肖特基结氢析出过电势低、Tafel斜率低、电流密度高、电荷传输阻力低、稳定性好、水电解氢转化率高。本发明工艺简单、成本低、适宜于工业化生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 缺陷 化合物 肖特基结 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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