[发明专利]光电探测器及其制作方法有效
| 申请号： | 202010751994.6 | 申请日： | 2020-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN111863984B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 张博健;王亮;王方莉;郭松坡 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L31/0232 | 分类号： | H01L31/0232;H01L31/0216;H01L31/105;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 姚璐华 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种光电探测器及其制作方法，所述光电探测器包括：衬底；设置在所述衬底上的缓冲层；设置在所述缓冲层远离所述衬底一侧的波导层；设置在所述波导层远离所述缓冲层一侧的渐变光学匹配层；设置在所述渐变光学匹配层远离所述波导层一侧的吸收层和阴极；设置在所述吸收层远离所述渐变光学匹配层一侧的包层；设置在所述包层远离所述吸收层一侧的接触层；设置在所述接触层一侧的阳极；其中，所述渐变光学匹配层为单层薄膜，在第一方向上，所述渐变光学匹配层的折射率逐渐增大；所述第一方向由所述波导层指向所述吸收层。应用本发明提供的技术方案，可以实现提前聚焦，提高耦合效率，降低器件工艺难度，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 探测器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学技术大学，未经中国科学技术大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010751994.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
