[发明专利]半导体器件的制备方法有效
| 申请号： | 202010752868.2 | 申请日： | 2020-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN111863611B | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 韩瑞津;曾辉 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 510000 广东省广州市中新广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的制备方法，将氢钝化工艺的反应温度及反应时间分别限定在第一设定范围及第二设定范围，并且，所述氢钝化工艺的反应温度及反应时间负相关，也就是说，在第一设定范围及第二设定范围内，提高反应温度就需减少反应时间，降低反应温度就需增加反应时间，可提高器件的界面态缺陷的修复效果，进而提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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