[发明专利]一种碳化硅外延设备原位监测系统及监测方法在审
| 申请号： | 202010753383.5 | 申请日： | 2020-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN111948177A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 肖永能 | 申请（专利权）人： | 季华实验室 |
| 主分类号： | G01N21/47 | 分类号： | G01N21/47 |
| 代理公司： | 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 | 代理人： | 陈志超;黄家豪 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种碳化硅外延设备原位监测系统及监测方法，所述碳化硅外延设备原位监测系统包括：光路结构、光学探测模块、转速探测模块、信号处理模块。所述碳化硅外延设备原位监测系统，可以在1000‑1500rpm的高转速下，在SiC外延生长的原位实现对晶圆表面薄膜生长状态的实时监测并向SiC外延设备提供反馈信号进行实时的外延生长控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 外延 设备 原位 监测 系统 方法 | ||
【主权项】：
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