[发明专利]一种氧化镓日盲光电探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 202010754648.3 | 申请日： | 2020-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN111863981A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 赵晓龙;谭鹏举;侯小虎;徐光伟;龙世兵 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/09;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氧化镓日盲光电探测器及其制备方法，包括：衬底(001)；氧化镓吸光层(002)，为3D S形循环结构；3D叉指电极(003)，设于氧化镓吸光层(002)的3D S形循环结构的两侧壁，形成一对相互交叉的叉指结构的电极；3D叉指电极(003)的高度不低于氧化镓吸光层(002)的高度。本发明提供的方法能够使电场分布更加均匀，电极收集光生载流子的能力更强，同时减少了表面缺陷对载流子传输的影响，有利于提高器件的响应度、响应速度等性能参数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 镓日盲 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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