[发明专利]竖直化合物半导体结构及其制造方法在审
申请号: | 202010754825.8 | 申请日: | 2020-07-30 |
公开(公告)号: | CN112310193A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 彼得·拉姆;阿明·克隆普 | 申请(专利权)人: | 弗劳恩霍夫应用研究促进协会 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L29/732;H01L29/861;H01L21/34 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 潘剑颖 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种竖直化合物半导体结构(100),其具有:衬底(10),具有第一主表面(11)和相对的第二主表面(12);竖直通道开口(13),在第一主表面(11)与第二主表面(12)之间完全延伸穿过衬底(10);以及层堆叠(20),布置在竖直通道开口(13)内。层堆叠(20)包括布置在竖直通道开口(13)内的导电层(31)和布置在竖直通道开口(13)内的化合物半导体层(21)。化合物半导体层(21)包括布置在导电层(31)上并且电流连接到导电层(31)的化合物半导体层。此外,本发明涉及一种用于制造这种竖直化合物半导体结构(100)的方法。 | ||
搜索关键词: | 竖直 化合物 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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