[发明专利]一种硅片加热装置

摘要

本公开提供一种硅片加热装置，所述加热装置包括：腔室及设置于腔室内的加热板，加热板上设有用于容置硅片的、形状与硅片匹配的凹槽，凹槽的内侧壁用于对硅片的边缘进行加热，凹槽的槽底用于对的硅片的下表面进行加热。本公开实施例所提供的硅片加热装置，通过将加热板设置于一腔室内，可避免硅片置于加热板上热处理时裸露于外界空气中，减少受到外界环境的影响，提高测试结果准确性；同时，在加热板上设置容置硅片的凹槽，可对硅片的边缘及下表面加热，使硅片完整放置于加热板上，只有上表面不受热，不会给硅片带来损伤，有效防止硅片尺寸过大，表面受热不均匀，导致硅片翘曲，无法进行后续的表面金属检测等，有效防止外界环境对测试结果的影响。