[发明专利]红外MEMS的支撑孔结构及形成方法在审
| 申请号： | 202010756191.X | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN111847373A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 刘善善 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B81B1/00 | 分类号： | B81B1/00;B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种红外MEMS的支撑孔结构及形成方法，所述支撑孔结构在半导体衬底上呈沟槽型，多个膜层覆盖于沟槽中的侧壁及底部；所述结构包括：半导体衬底；形成于半导体衬底之上的金属反射层；介质层；释放层，以及用于释放保护的第一释放保护层；所述形成于所述第一释放保护层之上的感光层；金属电极层，所述金属电极层形成于所述感光层之上；支撑孔金属膜层形成于所述支撑孔中，位于金属电极层之上；DARC层形成于金属电极层及支撑孔金属膜层之上；形成于DARC层之上的第二释放保护层。本发明在不改变感应层结构的情况下，对支撑孔追加一层支撑孔金属铝膜层，利用金属铝的流动性防止支撑孔底部的断路。 | ||
| 搜索关键词： | 红外 mems 支撑 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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