[发明专利]一种具有结型场板的氮化镓高电子迁移率晶体管

摘要

本发明提出一种具有结型场板的氮化镓基高电子迁移率晶体管，在传统的氮化镓HEMT器件基础上，在其势垒层上方形成一个纵向的PN结作为耐压结构调制器件的表面电场，优化横向的电场分布，达到了提升击穿电压的目的。一方面，在栅极处于阻断状态时纵向的PN结二极管会辅助耗尽器件沟道的二维电子气，承受一部分漏极电压，减小栅极边缘漏极侧所承受的电压，减小该处峰值电场。在正向导通状态时，PN结耗尽区可以避免栅极产生过大的泄漏电流，保证器件的正向导通电流能力。与常规金属场板相比本发明使用PN结作场板不会引入附加的寄生电容，保证了器件的工作频率和开关速度，在提升击穿电压的同时提高了器件的可靠性。