[发明专利]电子器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202010757132.4 | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN112309972A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | G·M·格里弗纳 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/02;H01L29/778 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张小稳 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及电子器件及其形成方法。公开了一种方法和电子器件。可使用该方法以允许对包括管芯的工件的薄层进行处理。该工件可包括基部基底和覆盖在该基部基底上的多个层。该方法可包括：在该多个层上形成聚合物支撑层；将该工件的部件区内的该基部基底减薄或移除，其中该部件区包括电子器件；以及在将该基部基底减薄或移除之后将该工件切割为多个管芯。在另一方面，可使用这种方法形成该电子器件。在一个实施方案中，该工件可具有与半导体晶片相对应的大小以允许晶片级处理，而不是管芯级处理。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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