[发明专利]可复位的闭合回路多匝磁性传感器在审
| 申请号： | 202010757135.8 | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN112305472A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | G·P·考斯格拉维 | 申请（专利权）人： | 亚德诺半导体国际无限责任公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;G01R29/20;G01B7/30 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 郭万方 |
| 地址： | 爱尔兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的方面涉及可复位的闭合回路多匝磁性传感器。在一方面，传感器包括：形成多个环的纳米线；多个畴取向传感器，被配置为检测所述纳米线内的一对畴壁的位置；和初始化电路，被配置为将所述一对畴壁注入所述纳米线。所述纳米线通过连接两个环的桥交叉形成闭合回路。 | ||
| 搜索关键词： | 复位 闭合 回路 磁性 传感器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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