[发明专利]光刻返工方法及灰化设备在审
| 申请号： | 202010757248.8 | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN111863598A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 张宇;吴长明;冯大贵;欧少敏;王玉新;蒋志伟 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;G03F7/42 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 黎伟 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种光刻返工方法及灰化设备，包括：将晶圆放置于灰化设备的载片台的突起结构上，灰化设备上设置有至少三个所述突起结构；对晶圆上的光阻进行灰化处理，灰化处理的温度大于250摄氏度；对灰化处理后的光阻进行湿法剥离处理。本申请通过在对晶圆进行光刻返工的工序中，将晶圆放置于设置有突起结构的灰化设备的载片台上，在高于250摄氏度的温度下对晶圆表面的光阻进行灰化处理，再对灰化处理后的光阻进行湿法剥离处理，由于突起结构能够隔离晶圆和载片台，从而使晶圆的温度不至于过热，解决了由于灰化处理中温度过高使得晶圆上的金属再结晶所导致的后续工艺中出现光阻剥离问题，提高了器件的制造良率。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 返工 方法 灰化 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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